除了中东，英伟达也导致了韩国股市暴跌 内存股受挫[推荐]

除了中东，英伟达也导致了韩国股市暴跌 内存股受挫。过去两天，韩国基准指数KOSPI跌幅均超过10%，创下2008年以来最大两日跌幅。市场普遍认为，特朗普对伊朗动武引发的全球资金避险情绪导致包括韩国在内的亚洲股市遭受重创。但最新分析指出，英伟达也对韩国股市下跌有所影响。

一则关于英伟达的技术传闻对韩国内存股造成了精准打击。据分析师引述独立分析机构KIS的评论，有报道称英伟达正在开发一种利用Groq片上SRAM架构的新型推理芯片，并计划在3月的GTC大会上公布。这一消息导致韩国内存股走弱，投资者担忧SRAM的使用会减少对包括HBM在内的主内存的需求。

不过，韩国股市今日出现了强劲反弹。最新行情显示，韩国KOSPI指数涨幅扩大至11%，科技巨头三星电子大涨13%，SK海力士飙升15%。

市场可能误判了SRAM推理芯片的冲击。KIS明确表示，“低成本”SRAM推理芯片的出现不会减少HBM等现有主内存的使用。从物理特性来看，SRAM的单元面积更大，密度低于DRAM，每比特成本显著更高。对于相同容量，SRAM通常需要DRAM 5到10倍的裸片面积。因此，SRAM历史上一直用于需要极低延迟的缓存或片上缓冲应用，而非作为存储大量数据的主内存。

SRAM架构并非DRAM的替代品，而是一个独立的选项。与DRAM相比，以SRAM为中心的架构具有访问延迟低得多和数据移动最小化的优势。KIS分析称，英伟达计划利用Groq架构是为了针对GPU难以处理的特定推理工作负载进行优化。采用SRAM架构应被理解为针对需要超低延迟的特定数据中心工作负载以及需要实时响应的物理AI边缘应用（如机器人和自动驾驶）的独特选择。事实上，OpenAI已经在其数据中心部署了Cerebras的SRAM芯片，基于这些芯片构建的推理服务收取比标准GPU推理服务更高的API费用。

随着AI产业的进步，基于Groq的SRAM架构的普及将进一步细分AI基础设施内的内存层级。HBM和DRAM将继续作为大规模模型训练和通用推理服务器的主内存。涵盖SRAM、HBM和DRAM的内存层级将变得越来越具有多层次性，最终推动整个内存行业总潜在市场的扩张。